A | B | C | D | E | F | G | H | CH | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9
CAS latence (zkratka CL, anglicky Column Address Strobe, též časování paměti) udává dobu, kterou je potřeba čekat před následujícím čtení z operační paměti v počítači.[1][2] U asynchronních pamětí DRAM je doba uváděna v nanosekundách (absolutní čas).[3] U synchronních SDRAM pamětí (např. DDR4) je udávána v cyklech taktovacích hodin, a proto je stejná čekací doba u vyšších frekvencí reálně kratší. Čím menší je hodnota CL, tím je práce s pamětí rychlejší a takový DIMM modul je obvykle i dražší.
Charakteristika
CAS latence je u synchronních RAM pamětí často udávána jedním číslem (např. CL9, CAS 9), ale může být udávána sérií čtyř čísel (např. CL9-9-9-24 nebo 16-20-20-38), přičemž jednočíselné vyjádření odpovídá první hodnotě vícečíselného vyjádření. Toto (první) číslo udává počet cyklů, za které jsou data požadovaná z určité adresy v RAM paměti reálně připravena na výstupní sběrnici pro odeslání k procesoru, a protože má největší vliv na výslednou rychlost RAM paměti, je často udáváno místo celé série čísel. Protože je latence uváděna v počtech hodinových cyklů, je reálná délka prodlevy závislá i na taktovací frekvenci paměti. Při zdvojnásobení taktovací frekvence způsobí dvakrát vyšší CAS latence stejně dlouhou prodlevu, ale výše taktované paměti budou rychlejší, protože za daný časový úsek provedou více přenosů dat. Proto přestože starší DDR3 paměti mívají typicky CL9 až CL11 a novější DDR4 paměti mívají CL15 a vyšší, je novější standard ve výsledku v přenosech dat rychlejší.[4]
Význam jednotlivých čísel u vícečíselné CAS latence je:[5][6]
- tCL (CAS Latency, Column Access Strobe) je přesný počet cyklů, za které paměť zpřístupní požadovaný sloupec v RAM (resp. umožní přečtení jednoho slova z paměti), když je správný řádek již otevřen
- tRDC (RAS to CAS Delay, Row Address to Column Address Delay) je minimální počet cyklů, za které paměť zpřístupní řádek v RAM, když není žádný otevřen
- tRP (Row Precharge Time) je minimální počet cyklů, za které paměť zpřístupní jiný řádek ve stejném sloupci RAM (uzavření nesprávného řádku)
- tRAS (Row Active Time) je minimální počet cyklů, po které musí být řádek otevřen pro zpřístupnění dat z RAM (obvykle největší číslo), tj. uzavření nesprávného a otevření požadovaného řádku
- tRC
Zjištění latence
CAS latence je daná typem použitých čipů a garantovaná výrobcem. CAS latenci nelze svévolně měnit, protože by to mohlo vést k nesprávnému čtení z RAM paměti. Zobrazení aktuálně používaných CAS latencí je možné například v programu CPU-Z na kartě Memory, přičemž na kartě SPD (Serial Presence Detect) jsou k dispozici další výrobcem definované profily (při různých taktovacích frekvencích) uložené výrobcem v EEPROM paměti RAM modulu (podle standardu JEDEC, případně též XMP profily určené pro přetaktování jedním kliknutím v nastavení BIOS Setupu).[5]
XMP
XMP (Extreme Memory Profiles) je technologie firmy Intel rozšiřující SPD umožňující výrobcům nabídnout vyšší výkonnost RAM pamětí za hranici definovaných JEDEC standardů. XMP 2.0 umožňuje pro DDR4 nabídnout navíc dva XMP profily, XMP 3.0 umožňuje pro DDR5 nabídnout tři XMP profily. Čipové sady firmy AMD podporují XMP a nabízí i vlastní obdobnou technologii AMP (AMD Memory Profile, resp. X-AMP, RAMP).[7]
Generace
SDRAM |
Typ | Rychlost přenosu dat | Doba přenosu | Rychlost příkazů | Doba cyklu | CL (CAS Latence) | První slovo | Čtvrté slovo | Osmé slovo |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SDR | PC100 | 100 MT/s | 10 ns | 100 MHz | 10 ns | 2 | 20 ns | 50 ns | 90 ns |
PC133 | 133 MT/s | 7.5 ns | 133 MHz | 7.5 ns | 3 | 22.5 ns | 45 ns | 75 ns | |
DDR | DDR-200 | 200 MT/s | 5 ns | 100 MHz | 10 ns | 2 | 20 ns | 35 ns | 55 ns |
DDR-266 | 266 MT/s | 3.75 ns | 133 MHz | 7.5 ns | 2.5 | 18.75 ns | 30 ns | 45 ns | |
DDR-333 | 333 MT/s | 3 ns | 166 MHz | 6 ns | 2 | 12 ns | 21 ns | 33 ns | |
2.5 | 15 ns | 24 ns | 36 ns | ||||||
3 | 18 ns | 27 ns | 39 ns | ||||||
DDR-400 | 400 MT/s | 2.5 ns | 200 MHz | 5 ns | 1.5 | 7.5 ns | 15 ns | 25 ns | |
2 | 10 ns | 17.5 ns | 27.5 ns | ||||||
2.5 | 12.5 ns | 20 ns | 30 ns | ||||||
DDR
/ DDR2 |
DDR-400 /
DDR2-400 |
3 | 15 ns | 22.5 ns | 32.5 ns | ||||
4 | 20 ns | 27.5 ns | 37.5 ns | ||||||
DDR(2)-533 | 533 MT/s | 1.875 ns | 266 MHz | 3.75 ns | 3 | 11.25 ns | 16.88 ns | 24.38 ns | |
DDR2 | DDR2-533 | 4 | 15 ns | 20.63 ns | 28.13 ns | ||||
5 | 18.75 ns | 24.38 ns | 31.88 ns | ||||||
DDR2-667 | 667 MT/s | 1.5 ns | 333 MHz | 3 ns | 3 | 9 ns | 13.5 ns | 19.5 ns | |
4 | 12 ns | 16.5 ns | 22.5 ns | ||||||
5 | 15 ns | 19.5 ns | 25.5 ns | ||||||
6 | 18 ns | 22.5 ns | 28.5 ns | ||||||
DDR2-800 | 800 MT/s | 1.25 ns | 400 MHz | 2.5 ns | 3 | 7.5 ns | 11.25 ns | 16.25 ns | |
4 | 10 ns | 13.75 ns | 18.75 ns | ||||||
DDR2
/ DDR3 |
DDR2-800
/ DDR3-800 |
5 | 12.5 ns | 16.25 ns | 21.25 ns | ||||
6 | 15 ns | 18.75 ns | 23.75 ns | ||||||
7 | 17.5 ns | 21.25 ns | 26.25 ns | ||||||
DDR2 | DDR2-1066 | 1066 MT/s | 938 ps | 533 MHz | 1.875 ns | 4 | 7.5 ns | 10.31 ns | 14.06 ns |
DDR2
/ DDR3 |
DDR2-1066
/ DDR3-1066 |
5 | 9.38 ns | 12.19 ns | 15.94 ns | ||||
6 | 11.25 ns | 14.06 ns | 17.81 ns | ||||||
7 | 13.13 ns | 15.94 ns | 19.69 ns | ||||||
8 | 15 ns | 17.82 ns | 21.57 ns | ||||||
DDR3 | DDR3-1066 | 9 | 16.88 ns | 19.7 ns | 23.45 ns | ||||
DDR3-1333 | 1333 MT/s | 750 ps | 666 MHz | 1.5 ns | 9 | 13.5 ns | 15.75 ns | 18.75 ns | |
8 | 12 ns | 14.25 ns | 16.25 ns | ||||||
7 | 10.5 ns | 12.75 ns | 15.75 ns | ||||||
6 | 9 ns | 11.25 ns | 14.25 ns | ||||||
DDR3-1375 | 1375 MT/s | 727 ps | 687 MHz | 1.455 ns | 5 | 7.27 ns | 9.45 ns | 12.36 ns | |
DDR3-1600 | 1600 MT/s | 625 ps | 800 MHz | 1.25 ns | 11 | 13.75 ns | 15.63 ns | 18.13 ns | |
10 | 12.5 ns | 14.38 ns | 16.88 ns | ||||||
9 | 11.25 ns | 13.13 ns | 15.63 ns | ||||||
8 | 10 ns | 11.88 ns | 14.38 ns | ||||||
7 | 8.75 ns | 10.63 ns | 13.13 ns | ||||||
6 | 7.5 ns | 9.38 ns | 11.88 ns | ||||||
DDR3-1866 | 1866 MT/s | 536 ps | 933 MHz | 1.071 ns | 13 | 13.92 ns | 15.53 ns | 17.67 ns | |
12 | 12.85 ns | 14.46 ns | 16.6 ns | ||||||
11 | 11.78 ns | 13.39 ns | 15.53 ns | ||||||
10 | 10.71 ns | 12.32 ns | 14.46 ns | ||||||
9 | 9.64 ns | 11.25 ns | 13.39 ns | ||||||
8 | 8.57 ns | 10.18 ns | 12.32 ns | ||||||
7 | 7.5 ns | 9.11 ns | 11.25 ns | ||||||
6 | 6.43 ns | 8.04 ns | 10.18 ns | ||||||
DDR3-2000 | 2000 MT/s | 500 ps | 1000 MHz | 1 ns | 10 | 10 ns | 11.5 ns | 13.5 ns | |
9 | 9 ns | 10.5 ns | 12.5 ns | ||||||
8 | 8 ns | 9.5 ns | 11.5 ns | ||||||
7 | 7 ns | 8.5 ns | 10.5 ns | ||||||
DDR3-2133 | 2133 MT/s | 469 ps | 1066 MHz | 938 ps | 12 | 11.25 ns | 12.66 ns | 14.53 ns | |
11 | 10.31 ns | 11.72 ns | 13.59 ns | ||||||
10 | 9.38 ns | 10.78 ns | 12.66 ns | ||||||
9 | 8.44 ns | 9.84 ns | 11.72 ns | ||||||
8 | 7.5 ns | 8.91 ns | 10.78 ns | ||||||
7 | 6.56 ns | 7.97 ns | 9.84 ns | ||||||
DDR3-2200 | 2200 MT/s | 455 ps | 1100 MHz | 909 ps | 7 | 6.36 ns | 7.73 ns | 9.55 ns | |
DDR3-2400 | 2400 MT/s | 417 ps | 1200 MHz | 833 ps | 13 | 10.83 ns | 12.08 ns | 13.75 ns | |
12 | 10 ns | 11.25 ns | 12.92 ns | ||||||
11 | 9.17 ns | 10.42 ns | 12.08 ns | ||||||
10 | 8.33 ns | 9.58 ns
Zdroj:https://cs.wikipedia.org?pojem=CAS_latence Text je dostupný za podmienok Creative Commons Attribution/Share-Alike License 3.0 Unported; prípadne za ďalších podmienok. Podrobnejšie informácie nájdete na stránke Podmienky použitia.
Analógové obvody
Antény Chemické zdroje elektriny Chladenie v elektrotechnike Elektrická sústava automobilu Elektrická trakcia Elektrické prístroje Elektrické súčiastky Elektrické spotrebiče Elektrické stroje Účinník Čítanie (elektrotechnika) Činný výkon Štatistická dynamika Živý vodič Admitancia Antiparalelné zapojenie Asynchrónny motor Blúdivý prúd Bočník (elektrotechnika) Diak (polovodičový prvok) Displej s kvapalnými kryštálmi Elektrická inštalácia Elektrická rezonancia Elektrická sila Elektrická vodivosť Elektrické zariadenie Elektrický obvod Elektrický zvonec Elektroenergetika Elektromer Elektrometer Elektromobil Elektromotor Elektromotorické napätie Elektrotechnický náučný slovník Elektrotechnika Elektrotechnológia Fázor Faradayova klietka Frekvencia (fyzika) Graetzov mostík Impedancia Indukčnosť Induktancia Istič Izolácia (elektrotechnika) Izolant Jadro vodiča Javy v polovodičoch Jednobran Jednosmerný prúd Joulovo teplo Katóda Koaxiálny kábel Kompenzácia účinníka Konduktometria Konektor (elektrotechnika) Korónový výboj Lanko (elektrotechnika) Leptanie Logické hradlo Magnetická susceptibilita Magnetizácia (veličina) Merný elektrický odpor Mobilné zariadenie Napájací zdroj Napäťový chránič Napäťový násobič Nortonova veta Odpínač Odpojovač OLED Olovený akumulátor Paralelné zapojenie Peltierov článok Plošná hustota elektrického prúdu Poistka (elektrotechnika) Posuvný prúd Prúdový chránič Prenosové médium Prieletový klystrón Primárny elektrochemický článok Reaktancia Rekuperácia (dopravný prostriedok) Relé Reproduktorová výhybka Rezistancia Rezonančný obvod
Rozhranie (interface) Sériové zapojenie Seebeckov jav Sekundárny elektrochemický článok Settopbox Skrat Sonar Spínač Spínaný zdroj Straty v mikropásikových vedeniach Striedavý prúd Stupeň ochrany krytom Svetelná výbojka Symetrizačný člen Technická normalizácia Tepelné relé Tepelne vodivostný detektor Termočlánok Théveninova veta Transformátor Transformátor s fázovou reguláciou Trojfázová sústava Tuhá fáza (elektronika) Tyratrón Usmerňovač (elektrotechnika) Uzemnenie Uzol (vodiče) Vírivý prúd Výbojka Varistor Ventilátor Vodič (elektrotechnika) Voltov stĺp Vstavaný systém Zásuvka (elektrotechnika) Zdroj (elektrotechnika) Zisk antény Text je dostupný za podmienok Creative
Commons Attribution/Share-Alike License 3.0 Unported; prípadne za ďalších
podmienok. www.astronomia.sk | www.biologia.sk | www.botanika.sk | www.dejiny.sk | www.economy.sk | www.elektrotechnika.sk | www.estetika.sk | www.farmakologia.sk | www.filozofia.sk | Fyzika | www.futurologia.sk | www.genetika.sk | www.chemia.sk | www.lingvistika.sk | www.politologia.sk | www.psychologia.sk | www.sexuologia.sk | www.sociologia.sk | www.veda.sk I www.zoologia.sk |