A | B | C | D | E | F | G | H | CH | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9
Polovodičové paměti jsou zařízení pro ukládání elektronických dat často používané pro paměti počítače. Data jsou přístupné pomocí binární paměťové adresy, která vstupuje do paměti. Jestliže se adresa paměti skládá z M bitů, adresa prostředí se skládá ze dvou M bitů pro každý čip. Polovodičové paměti jsou vyráběny s určitou délkou slova (jednobitové buňky sdílejí stejnou adresu paměti), výkon dvou obvykle M = 1, 2, 4 nebo 8 bitů na čip. Možné hodnoty jsou 1, 2, 4, 8, 16, 32, 64, 128, 256 a 512 bit, kbit, Mbit, Gbit a Tbit. Tím, že kombinuje několik integrovaných obvodů, paměť může být uspořádána pro větší délku slova a/nebo adresu místa, než to, co nabízí každý čip.
Principy činnosti pamětí
Paměti lze rozdělit podle různých hledisek, která jsou uvedena v článku elektronická paměť. Dále bude rozebrána funkce jednotlivých druhů polovodičových pamětí a vysvětlen jejich fyzikální princip.
ROM
Paměť ROM je unipolární paměť, u které je na průsečíku adresových linek X, Y tranzistor s tenkou vrstvou nebo tlustá vrstva oxidu hlinitého, která slouží k oddělení elektrody. Při použití tlusté izolační vrstvy vyžadujeme velké prahové spínací napětí. Na průsečíku adresových linek X a Y je bud tranzistor vytvořený tenkou vrstvou nebo funkčně nahrazen vytvořením tlusté vrstvy oxidu hlinitého, který odděluje elektrodu. Je-li tenká vrstva a tranzistor adresován výběrovým signálem, pak tranzistor sepne a proud přes něj prochází k nulovému potenciálu.
PROM
Jsou bipolární paměti, u kterých v emitorech tranzistorů jsou tavné pojistky, pomocí kterých zvýšeným napájecím napětím naprogramujeme integrovaný obvod. Lze programovat pouze jednou.
EPROM
Jsou unipolární paměti PROM, u kterých je možné vícenásobné přeprogramování pomocí vymazáním programu např. ultrafialovým zářením. Jsou založeny na principu buňky FAMOS. Čip se pozná pomocí okénka na pouzdře.
EEPROM
Slouží ke čtení i zápisu a mazání programu je u nich mnohonásobně rychlejší, než u paměti EPROM. Mazání se provádí pomocí elektronických impulzů. Flash EEPROM je vylepšená verze EEPROM, u ní je doba zápisu i čtení velmi krátká.
SRAM
Statická paměti RAM (SRAM) je bipolární (TTL a ECL logika) nebo unipolární (MOSFET) a je tvořena buňkami z bistabilních klopných obvodů. RAM paměti s libovolným přístupem jednotlivá místa paměti se liší jen adresou, kterou lze volit náhodně, nezávisle na adresách použitých předtím nebo poté.
DRAM
Dynamická paměť RAM (DRAM) je založena na fyzikálním principu nabíjení kondenzátoru. Takto vzniklý potenciál, který je ekvivalentní napětí, odpovídá logické 0 nebo 1. Jelikož vlivem svodů je tento potenciál vybíjen, je nutno tuto operaci v paměťové buňce obnovovat (refresh). Obnova probíhá tak, že jsou paralelně sejmuty obsahy paměťových buněk na řádku, v budiči zesíleny a opět zapsány na původní místo. Rychlost obnovy paměťových míst je několiksetkrát za sekundu. Tyto paměti jsou levnější než statické. V současné době máme dva typy SIMM a SIPP. Přístupová doba SIMM 60–70 ns.
Text je dostupný za podmienok Creative Commons Attribution/Share-Alike License 3.0 Unported; prípadne za ďalších podmienok. Podrobnejšie informácie nájdete na stránke Podmienky použitia.
Antény
Chemické zdroje elektriny
Chladenie v elektrotechnike
Elektrická sústava automobilu
Elektrická trakcia
Elektrické prístroje
Elektrické súčiastky
Elektrické spotrebiče
Elektrické stroje
Čítanie (elektrotechnika)
Činný výkon
Štatistická dynamika
Živý vodič
Admitancia
Antiparalelné zapojenie
Asynchrónny motor
Blúdivý prúd
Bočník (elektrotechnika)
Diak (polovodičový prvok)
Displej s kvapalnými kryštálmi
Elektrická inštalácia
Elektrická rezonancia
Elektrická sila
Elektrická vodivosť
Elektrické zariadenie
Elektrický obvod
Elektrický zvonec
Elektroenergetika
Elektromer
Elektrometer
Elektromobil
Elektromotor
Elektromotorické napätie
Elektrotechnický náučný slovník
Elektrotechnika
Elektrotechnológia
Fázor
Faradayova klietka
Frekvencia (fyzika)
Graetzov mostík
Impedancia
Indukčnosť
Induktancia
Istič
Izolácia (elektrotechnika)
Izolant
Jadro vodiča
Jednobran
Jednosmerný prúd
Joulovo teplo
Katóda
Koaxiálny kábel
Kompenzácia účinníka
Konduktometria
Konektor (elektrotechnika)
Korónový výboj
Lanko (elektrotechnika)
Leptanie
Logické hradlo
Magnetická susceptibilita
Magnetizácia (veličina)
Merný elektrický odpor
Mobilné zariadenie
Napájací zdroj
Napäťový chránič
Napäťový násobič
Nortonova veta
Odpínač
Odpojovač
OLED
Olovený akumulátor
Paralelné zapojenie
Peltierov článok
Plošná hustota elektrického prúdu
Poistka (elektrotechnika)
Posuvný prúd
Prúdový chránič
Prenosové médium
Prieletový klystrón
Primárny elektrochemický článok
Reaktancia
Rekuperácia (dopravný prostriedok)
Relé
Reproduktorová výhybka
Rezistancia
Rozhranie (interface)
Sériové zapojenie
Seebeckov jav
Sekundárny elektrochemický článok
Settopbox
Skrat
Sonar
Spínač
Spínaný zdroj
Straty v mikropásikových vedeniach
Striedavý prúd
Stupeň ochrany krytom
Svetelná výbojka
Symetrizačný člen
Technická normalizácia
Tepelné relé
Tepelne vodivostný detektor
Termočlánok
Théveninova veta
Transformátor
Transformátor s fázovou reguláciou
Trojfázová sústava
Tuhá fáza (elektronika)
Tyratrón
Usmerňovač (elektrotechnika)
Uzemnenie
Uzol (vodiče)
Vírivý prúd
Výbojka
Varistor
Ventilátor
Vodič (elektrotechnika)
Voltov stĺp
Vstavaný systém
Zásuvka (elektrotechnika)
Zdroj (elektrotechnika)
Zisk antény
Text je dostupný za podmienok Creative
Commons Attribution/Share-Alike License 3.0 Unported; prípadne za ďalších
podmienok.
Podrobnejšie informácie nájdete na stránke Podmienky
použitia.
www.astronomia.sk | www.biologia.sk | www.botanika.sk | www.dejiny.sk | www.economy.sk | www.elektrotechnika.sk | www.estetika.sk | www.farmakologia.sk | www.filozofia.sk | Fyzika | www.futurologia.sk | www.genetika.sk | www.chemia.sk | www.lingvistika.sk | www.politologia.sk | www.psychologia.sk | www.sexuologia.sk | www.sociologia.sk | www.veda.sk I www.zoologia.sk