A | B | C | D | E | F | G | H | CH | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9
Tranzistor riadený poľom (iné názvy: poľom riadený tranzistor, unipolárny tranzistor, tranzistor ovládaný elektrickým poľom, tranzistor FET, FET-tranzistor, skr. FET z angl. field-effect transistor) je tranzistor využívajúci efekt poľa na zosilňovanie elektrických signálov.
Na rozdiel od bipolárnych tranzistorov (v ktorých je kolektorový prúd ovládaný pomocou prúdu bázy) sa v tranzistoroch ovládaných elektrickým poľom (FET) ovláda kolektorový prúd pomocou napätia medzi riadiacou elektródou a emitorom. Prenos prúdu sa vykonáva jedným druhom nosičov náboja (odtiaľ názov "unipolárny").
Rozdelenie
- Priechodový tranzistor riadený poľom (skr. JFET alebo NIG FET, kde J=junction, NIG = non-insulated gate):
- Tranzistor riadený poľom s priechodom p-n (=tranzistor ovládaný elektrickým poľom s hradlom oddeleným priechodom p-n, poľom riadený tranzistor s hradlom izolovaným priechodom p-n, skr. PPN FET, resp. JFET v užšom zmysle alebo FET v užšom zmysle): Tieto tranzistory majú medzi hradlom a kanálom vytvorený priechod p-n, ktorý sa prevádzkuje polarizáciou v závernom smere.
- MESFET: t.j. s priechodom kov-polovodič so Schotkyho hradlom
- HEMT
- Tranzistor riadený poľom s izolovaným hradlom (skr. IG FET, kde IG = insulated gate):
- Tranzistor riadený poľom s hradlovou dielektrickou vrstvou (=tranzistor ovládaný elektrickým poľom s hradlom oddeleným izolantom, poľom riadený tranzistor s hradlom izolovaným dielektrickou vrstvou, skr. MISFET, kde M=metal, I=insulator, S=semiconductor): Tranzistory tohto typu majú medzi hradlom a kanálom vytvorenú vrstvičku dielektrika. Delia sa na:
- ISFET
- ENFET
- OFET
- CNFET
Výhody a nevýhody
- Výhody FET tranzistorov
- Vstupný odpor je 1010 Ω – 1015 Ω, vstupná kapacita 2 pF.
- Z hľadiska výrobnej realizácie si vyžadujú podstatne menší počet výrobných operácií. Zatiaľ čo realizácia bipolárneho obvodu TTL si vyžaduje 140 výrobných operácií, je pre realizáciu podobného obvodu s FET-tranzistormi potrebné len 40 výrobných operácií.
- Výstupný obvod je dokonale oddelený od vstupného obvodu.
- FET - tranzistory vykazujú v nízkofrekvenčných i vysokofrekvenčných zosilňovačoch veľmi malý vlastný šum.
- FET - tranzistory vykazujú malé nelineárne skreslenie.
- FET - tranzistory vykazujú veľmi dobré spínacie vlastnosti.
- Výkonové FET - tranzistory stále častejšie nahradzujú bipolárne tranzistory pre obvodovú jednoduchosť a lepšie vlastnosti.
- Nevýhody FET tranzistorov
- Veľký rozptyl prahového napätia UT až niekoľko voltov (u bipolárnych tranzistorov cca 0,1V).
- Riziko poškodenia vstupu u IGFET-ov (MOSFET-ov).
- Klasické FET tranzistory majú nižšiu hornú medznú frekvenciu ako bipolárne tranzistory. Tento nedostatok odstraňujú moderné typy FET-ov (napr. HEMT).
Text je dostupný za podmienok Creative Commons Attribution/Share-Alike License 3.0 Unported; prípadne za ďalších podmienok. Podrobnejšie informácie nájdete na stránke Podmienky použitia.
Antény
Chemické zdroje elektriny
Chladenie v elektrotechnike
Elektrická sústava automobilu
Elektrická trakcia
Elektrické prístroje
Elektrické súčiastky
Elektrické spotrebiče
Elektrické stroje
Čítanie (elektrotechnika)
Činný výkon
Štatistická dynamika
Živý vodič
Admitancia
Antiparalelné zapojenie
Asynchrónny motor
Blúdivý prúd
Bočník (elektrotechnika)
Diak (polovodičový prvok)
Displej s kvapalnými kryštálmi
Elektrická inštalácia
Elektrická rezonancia
Elektrická sila
Elektrická vodivosť
Elektrické zariadenie
Elektrický obvod
Elektrický zvonec
Elektroenergetika
Elektromer
Elektrometer
Elektromobil
Elektromotor
Elektromotorické napätie
Elektrotechnický náučný slovník
Elektrotechnika
Elektrotechnológia
Fázor
Faradayova klietka
Frekvencia (fyzika)
Graetzov mostík
Impedancia
Indukčnosť
Induktancia
Istič
Izolácia (elektrotechnika)
Izolant
Jadro vodiča
Jednobran
Jednosmerný prúd
Joulovo teplo
Katóda
Koaxiálny kábel
Kompenzácia účinníka
Konduktometria
Konektor (elektrotechnika)
Korónový výboj
Lanko (elektrotechnika)
Leptanie
Logické hradlo
Magnetická susceptibilita
Magnetizácia (veličina)
Merný elektrický odpor
Mobilné zariadenie
Napájací zdroj
Napäťový chránič
Napäťový násobič
Nortonova veta
Odpínač
Odpojovač
OLED
Olovený akumulátor
Paralelné zapojenie
Peltierov článok
Plošná hustota elektrického prúdu
Poistka (elektrotechnika)
Posuvný prúd
Prúdový chránič
Prenosové médium
Prieletový klystrón
Primárny elektrochemický článok
Reaktancia
Rekuperácia (dopravný prostriedok)
Relé
Reproduktorová výhybka
Rezistancia
Rozhranie (interface)
Sériové zapojenie
Seebeckov jav
Sekundárny elektrochemický článok
Settopbox
Skrat
Sonar
Spínač
Spínaný zdroj
Straty v mikropásikových vedeniach
Striedavý prúd
Stupeň ochrany krytom
Svetelná výbojka
Symetrizačný člen
Technická normalizácia
Tepelné relé
Tepelne vodivostný detektor
Termočlánok
Théveninova veta
Transformátor
Transformátor s fázovou reguláciou
Trojfázová sústava
Tuhá fáza (elektronika)
Tyratrón
Usmerňovač (elektrotechnika)
Uzemnenie
Uzol (vodiče)
Vírivý prúd
Výbojka
Varistor
Ventilátor
Vodič (elektrotechnika)
Voltov stĺp
Vstavaný systém
Zásuvka (elektrotechnika)
Zdroj (elektrotechnika)
Zisk antény
Text je dostupný za podmienok Creative
Commons Attribution/Share-Alike License 3.0 Unported; prípadne za ďalších
podmienok.
Podrobnejšie informácie nájdete na stránke Podmienky
použitia.
www.astronomia.sk | www.biologia.sk | www.botanika.sk | www.dejiny.sk | www.economy.sk | www.elektrotechnika.sk | www.estetika.sk | www.farmakologia.sk | www.filozofia.sk | Fyzika | www.futurologia.sk | www.genetika.sk | www.chemia.sk | www.lingvistika.sk | www.politologia.sk | www.psychologia.sk | www.sexuologia.sk | www.sociologia.sk | www.veda.sk I www.zoologia.sk