Schottkyho dióda je polovodičová dióda využívajúca existenciu potenciálovej bariéry na priechode kov-polovodič (Schottkyho bariéra) a z toho vyplývajúce usmerňovacie vlastnosti priechodu.^[1]

Pomenovaná je po nemeckom fyzikovi Walterovi Schottkym (* 1886 – † 1976), ktorý v roku 1938 vypracoval teóriu, popisujúcu usmerňovacie vlastnosti priechodu kov-polovodič.^[2]

Vlastnosti

Oproti bežným diódam s PN priechodom majú Schottkyho diódy nižší úbytok napätia v priepustnom smere (U_F: ~0,3 V oproti ~0,7 V pri Si diódach s PN priechodom), sú však schopné odolávať nižším napätiam v závernom smere (U_R: ~10 – 150 V) a majú vyšší záverný prúd (I_R), ktorý navyše exponenciálne rastie so stúpajúcou teplotou, čo môže viesť k teplotnej nestabilite a ďalej nepriamo limituje praktickú veľkosť napätia v závernom smere.

Ďalšia charakteristická vlastnosť Schottkyho diód je veľmi krátka doba záverného zotavenia (reverse recovery time, t_rr v rádoch len ~100 ps pri malých signálových diódach).

Tieto vlastnosti ich predurčujú okrem iného na spínacie aplikácie v rýchlych analógových aj digitálnych obvodoch a usmerňovacie aplikácie vo vysokofrekvenčných obvodoch a spínaných zdrojoch.^[3][4][5]

Galéria

• 

  Rôzne Schottkyho diódy s drôtovými vývodmi. Výkonové typy vpravo obsahujú dvojicu antisériovo zapojených diód a sú určené pre montáž na chladič.

• 

  Makrofotografia malej signálovej Schottkyho diódy HP 5082-2800 (1N5711) v sklenenom puzdre s rozmermi 1,8 × 4 mm s viditeľnou konštrukciou priechodu kov-polovodič.

• 

  Kryštálový detektor, využívajúci kryštál galenitu – prírodného polovodiča, ktorého povrchu sa dotýka hrot polohovateľného volfrámovéhp alebo fosforbronzového drôtika. Predstavoval primitívnu formu Schottkyho diódy a využíval sa v začiatkoch rozhlasového vysielania na demoduláciu AM signálu v pasívnych rádioprijímačoch – kryštálkach.

Referencie

Iné projekty

• Commons ponúka multimediálne súbory na tému Schottkyho dióda